Anwendungen von Siliziumkarbid zur Energiespeicherung
Unsere faltbaren Photovoltaik-Energiespeichercontainer setzen neue Maßstäbe in der mobilen und nachhaltigen Energieversorgung. Mit einem durchdachten Design und robuster Technologie bieten wir skalierbare Lösungen für flexible Einsatzorte – ob in der Notstromversorgung, auf Baustellen oder in entlegenen Regionen.
Dank der leichten Transportierbarkeit, schnellen Inbetriebnahme und modularen Struktur sind unsere Container die ideale Lösung für die autonome Stromversorgung ohne feste Infrastruktur. Durch die Kombination aus Solarpanelen und innovativer Speichertechnik ermöglichen wir zuverlässige Strombereitstellung – jederzeit und überall.
Hochwertige Siliziumkarbid-Rohre (SiC-Rohre) mit einem Durchmesser von 2 mm bis 150 mm sind bei Stanford Advanced Materials erhältlich.
Was ist Siliziumkarbid und wofür wird es verwendet?
Die Anwendungsbereiche für Siliziumkarbid sind vielfältig und reichen von der Leistungselektronik über Automotive bis hin zur Luft- und Raumfahrttechnik. In der Leistungselektronik wird es wegen seiner Fähigkeit, höhere Spannungen zu handhaben und dabei weniger Verluste als andere Halbleitermaterialien zu verursachen, sehr geschätzt.
Wie wirkt sich Siliziumkarbid auf die Energiewende aus?
Hocheffiziente Halbleiter mit Siliziumkarbid spielen eine Schlüsselrolle für die Energiewende. Auch in Deutschland werden Produktionskapazitäten ausgebaut. Siliziumkarbid-Wafer bei der Herstellung. (This article is also available in English)
Was sind die Vorteile von Siliciumcarbid?
Thermische Stabilität: Siliciumcarbid hat einen sehr hohen Schmelzpunkt (etwa 2.730°C) und eine hervorragende thermische Leitfähigkeit, was es ideal für Hochtemperaturanwendungen macht. Elektrische Eigenschaften: SiC ist ein Halbleiter, was bedeutet, dass seine elektrische Leitfähigkeit mit steigender Temperatur zunimmt.
Was ist der Unterschied zwischen Diamant und Siliciumcarbid?
Acheson suchte eigentlich nach einer Methode, Diamanten künstlich herzustellen, aber das Ergebnis dieses Experiments war ein neues, unglaublich hartes Material: Siliciumcarbid. Härte: SiC ist fast so hart wie Diamant und wird oft in Schleifmitteln und Schneidwerkzeugen verwendet.
Was sind die Vorteile von Silizium-IGBT-Schaltungen?
Sie zeichnen sich durch einen deutlich höheren Wirkungsgrad im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-IGBT-Schaltungen aus und bieten zahlreiche weitere Vorteile wie Temperaturstabilität und geringere Verlustleistung.
Was ist der Unterschied zwischen Silizium und Gan?
Bei Silizium ist die Bandlücke mit 1,1 Elektronenvolt (eV) relativ gering. Das ist für Solarzellen vorteilhaft, weil Licht aus dem sichtbaren Spektrum ausreicht, um Ladungsträger vom Valenz- in das Leitungsband anzuheben. SiC und GaN haben mit 3,2 bis 3,4 eV hingegen eine dreimal so hohe Bandlücke.